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型号: H11F3SVM
描述: 光耦合器,模拟 FET 输出,Fairchild Semiconductor 光电探测器从 IRED 发光二极管输入以电气方式隔离。 光耦合器如同理想的隔离 FET 一样工作,设计用于无失真控制低交流和直流电平模拟信号。 ### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
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封 装: PDIP-6
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技术参数/通道数: 1

技术参数/针脚数: 6

技术参数/正向电压: 1.3 V

技术参数/耗散功率: 300 mW

技术参数/隔离电压: 7.5 kVrms

技术参数/输入电流(Min): 60 mA

技术参数/正向电压(Max): 1.75 V

技术参数/正向电流(Max): 60 mA

技术参数/工作温度(Max): 100 ℃

技术参数/工作温度(Min): -40 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 300 mW

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 6

封装参数/封装: PDIP-6

外形尺寸/封装: PDIP-6

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Bag

其他/制造应用: Consumer Appliances, Industrial Motor

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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