技术参数/耗散功率: 1.2 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 200 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @1A, 5V
技术参数/额定功率(Max): 1.2 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1200 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-5
外形尺寸/封装: TO-5
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TIP112
|
Poinn | 功能相似 |
t-Npn Si- Po Darlington
|
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TIP112
|
Intersil (英特矽尔) | 功能相似 |
t-Npn Si- Po Darlington
|
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TIP112
|
Central Semiconductor | 功能相似 | TO-220-3 |
t-Npn Si- Po Darlington
|
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|
|
CJ (长电科技) | 功能相似 | TO-220-3 |
t-Pnp Si Po Darlington
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TIP117
|
ETC | 功能相似 |
t-Pnp Si Po Darlington
|
|||
TIP36C
|
ST | 功能相似 | TO-247 |
t-Pnp Si- Pwr Amp
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||
TIP36C
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-247-3 |
t-Pnp Si- Pwr Amp
|
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|
TIP36C
|
Central Semiconductor | 功能相似 | TO-218-3 |
t-Pnp Si- Pwr Amp
|
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