技术参数/额定功率: 1.3 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 35 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.3 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 350 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 0.135A
技术参数/上升时间: 15 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 120pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 1.3 W
技术参数/下降时间: 20 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1.3W (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-89
外形尺寸/长度: 4.6 mm
外形尺寸/宽度: 2.6 mm
外形尺寸/高度: 1.6 mm
外形尺寸/封装: SOT-89
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Communications & Networking, 通信与网络, Power Management, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
DN3135N8
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Suptertex | 完全替代 |
Trans MOSFET N-CH 350V 0.135A 4Pin(3+Tab) SOT-89
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DN3135N8-G
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Supertex (超科) | 功能相似 | SOT-89 |
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管 Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。 ### 特点 高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用 常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管，Microchip
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DN3135N8-G
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Microchip (微芯) | 功能相似 | SOT-89 |
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管 Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。 ### 特点 高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用 常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管，Microchip
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