技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 300 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 360 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23
外形尺寸/长度: 2.9 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.9 mm
外形尺寸/封装: SOT-23
其他/产品生命周期: End of Life
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AnBon (台湾安邦) | 类似代替 | SOT-23 |
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
|
||
|
|
Rectron Semiconductor | 类似代替 |
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
|
|||
MMBTA42
|
先科ST (先科) | 类似代替 | SOT-23-3 |
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
|
||
|
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 |
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
|
|||
MMBTA42
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | SOT-23-3 |
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
|
||
MMBTA42
|
Comchip Technology (上华科技) | 类似代替 |
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
|
|||
|
|
GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL | 类似代替 | SOT-23-3 |
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
|
||
MMBTA42
|
UTC (友顺) | 类似代替 | SOT-23 |
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
|
||
|
|
KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) | 类似代替 | SOT-23 |
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
|
||
|
|
Taitron | 类似代替 |
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
|
|||
MMBTA42
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
|
||
|
|
Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR MMBTA42LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 225 mW, 500 mA, 50 hFE
|
|||
MMBTA42LT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBTA42LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 225 mW, 500 mA, 50 hFE
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价