技术参数/额定电压(DC): -40.0 V
技术参数/额定电流: -2.00 A
技术参数/极性: Dual P-Channel
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 75 @1A, 2V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MPS750
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 40V Vceo, 2A Ic, 75 - hFE
|
||
|
|
CJ (长电科技) | 功能相似 | TO-92 |
0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 40V Vceo, 2A Ic, 75 - hFE
|
||
MPS750
|
Central Semiconductor | 功能相似 | TO-226-3 |
0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 40V Vceo, 2A Ic, 75 - hFE
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价