技术参数/容差: ±5 %
技术参数/正向电压: 900mV @10mA
技术参数/耗散功率: 0.55 W
技术参数/测试电流: 20 mA
技术参数/稳压值: 3.9 V
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 2.92 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.93 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 3000
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BZX84C3V9
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Diotec Semiconductor | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C3V9 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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BZX84C3V9
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先科ST (先科) | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C3V9 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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BZX84C3V9
|
EIC | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C3V9 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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BZX84C3V9
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C3V9 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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BZX84C3V9
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Won-Top Electronics | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C3V9 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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BZX84C3V9
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C3V9 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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BZX84C3V9
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C3V9 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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MMBZ5228BLT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBZ5228BLT1G 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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MMSZ4685T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOD-123-2 |
ON SEMICONDUCTOR MMSZ4685T1G 单管二极管 齐纳, 3.6 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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MMSZ4686T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOD-123 |
ON SEMICONDUCTOR MMSZ4686T1G 单管二极管 齐纳, 稳压器, 3.9 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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