技术参数/频率: 165 MHz
技术参数/额定电压(DC): 50.0 V
技术参数/额定电流: 2.00 A
技术参数/额定功率: 0.625 W
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 0.625 W
技术参数/增益频宽积: 165 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 2A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 200 @1A, 2V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 0.98 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FMMT619
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOT-23 |
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE
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FMMT619
|
CJ (长电科技) | 功能相似 | SOT-23-3 |
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE
|
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FMMT619
|
Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-23 |
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE
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FSB619
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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