BF1012S现货|PDF|数据手册|价格|代理商[BF1012S替代|丝印|技术|方案开发]-亿配芯城

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

型号： BF1012S

描述：硅N沟道MOSFET四极管（针对低噪声，高增益控制输入级可达到1GHz工作电压5V综合稳定偏置网络） Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network)

品牌： Infineon (英飞凌)

封装： SOT-143

货期：

包装方式：

标准包装数： 1

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

库存(6648) 起订量(1)

加入购物车立即购买

欢迎使用亿配芯城AI助手

芯片AI顾问

替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
BF1009S	Siemens Semiconductor (西门子)	功能相似	SOT-143	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network)	PDF
BF1012S	Siemens Semiconductor (西门子)	功能相似	SOT-143	硅N沟道MOSFET四极管（针对低噪声，高增益控制输入级可达到1GHz工作电压5V综合稳定偏置网络） Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network)	PDF
BF1012S	Infineon (英飞凌)	功能相似	SOT-143	硅N沟道MOSFET四极管（针对低噪声，高增益控制输入级可达到1GHz工作电压5V综合稳定偏置网络） Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network)
F1012	POLYFET	功能相似		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN	PDF
F1012	Infineon (英飞凌)	功能相似	SOT-143	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN	PDF