技术参数/针脚数: 6
技术参数/漏源极电阻: 0.023 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 900 mW
技术参数/阈值电压: 700 mV
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 9.50 A
技术参数/上升时间: 3.9 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1080pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 900 mW
技术参数/下降时间: 3.7 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 0.9 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: WDFN-6
外形尺寸/长度: 2 mm
外形尺寸/宽度: 2 mm
外形尺寸/高度: 0.75 mm
外形尺寸/封装: WDFN-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDMA410NZ
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | MicroFET-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA410NZ 场效应管, MOSFET, N沟道, 9.5A, 20V
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FDMA410NZ
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | WDFN-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA410NZ 场效应管, MOSFET, N沟道, 9.5A, 20V
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IRLHS6242TRPBF
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | PQFN-6 |
INFINEON IRLHS6242TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 20 V, 0.0094 ohm, 4.5 V, 800 mV 新
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IRLHS6242TRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | PowerVDFN-6 |
INFINEON IRLHS6242TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 20 V, 0.0094 ohm, 4.5 V, 800 mV 新
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