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型号: FDG329N
描述: 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET
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封 装: SC-70-6
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC): 20.0 V

技术参数/额定电流: 1.50 A

技术参数/通道数: 1

技术参数/漏源极电阻: 70 mΩ

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 420 mW

技术参数/输入电容: 324 pF

技术参数/栅电荷: 3.30 nC

技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V

技术参数/漏源击穿电压: 20 V

技术参数/栅源击穿电压: ±12.0 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 1.50 A

技术参数/上升时间: 7 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 324pF @10V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 380 mW

技术参数/下降时间: 7 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): 55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 420mW (Ta)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 6

封装参数/封装: SC-70-6

外形尺寸/长度: 2 mm

外形尺寸/宽度: 1.25 mm

外形尺寸/高度: 1.1 mm

外形尺寸/封装: SC-70-6

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

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