技术参数/额定电压(DC): 50.0 V
技术参数/额定电流: 500 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 950 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 1000 @350mA, 2V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 16
封装参数/封装: SOIC-16
外形尺寸/封装: SOIC-16
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
ULN2003ADR
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-16 |
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
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ULN2003ADR
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Chipswinner | 完全替代 |
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
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ULN2003AIDR
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-16 |
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AIDR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
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ULQ2003ADR
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-16 |
TEXAS INSTRUMENTS ULQ2003ADR 达林顿晶体管阵列, NPN, 7, 50V
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