技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 50 A
技术参数/正向电压(Max): 950 mV
技术参数/正向电流(Max): 2 A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-214AA
外形尺寸/长度: 4.7 mm
外形尺寸/宽度: 3.94 mm
外形尺寸/高度: 2.24 mm
外形尺寸/封装: DO-214AA
其他/产品生命周期: Unknown
符合标准/RoHS标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Yangzhou Yangjie Electronic | 类似代替 |
MULTICOMP ES2A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 2 A, 950 mV, 35 ns, 50 A
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DIYI Electronic | 类似代替 | SMA |
MULTICOMP ES2A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 2 A, 950 mV, 35 ns, 50 A
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Jingdao (晶导) | 类似代替 | SMA |
MULTICOMP ES2A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 2 A, 950 mV, 35 ns, 50 A
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Paceleader | 类似代替 |
MULTICOMP ES2A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 2 A, 950 mV, 35 ns, 50 A
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Panjit (强茂) | 类似代替 | DO-214AC |
MULTICOMP ES2A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 2 A, 950 mV, 35 ns, 50 A
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ES2A
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 类似代替 | DO-214AA |
MULTICOMP ES2A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 2 A, 950 mV, 35 ns, 50 A
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ES2B
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Philmore | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES2B 快速/超快二极管, 单, 100 V, 2 A, 900 mV, 35 ns, 50 A
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LiteOn (光宝) | 类似代替 | 2 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES2B 快速/超快二极管, 单, 100 V, 2 A, 900 mV, 35 ns, 50 A
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ES2B
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国产 | 类似代替 | SMB |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES2B 快速/超快二极管, 单, 100 V, 2 A, 900 mV, 35 ns, 50 A
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Bruckewell Technology | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES2B 快速/超快二极管, 单, 100 V, 2 A, 900 mV, 35 ns, 50 A
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Luguang Electronic | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES2B 快速/超快二极管, 单, 100 V, 2 A, 900 mV, 35 ns, 50 A
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Jingdao (晶导) | 类似代替 | SMA |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES2B 快速/超快二极管, 单, 100 V, 2 A, 900 mV, 35 ns, 50 A
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ES2B
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HY Electronic | 类似代替 | DO-214AA |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES2B 快速/超快二极管, 单, 100 V, 2 A, 900 mV, 35 ns, 50 A
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ES2B
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Multicomp | 类似代替 | DO-214AA |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES2B 快速/超快二极管, 单, 100 V, 2 A, 900 mV, 35 ns, 50 A
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ES2B+
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Multicomp | 类似代替 | DO-214AA |
快速/超快二极管, 100 V, 2 A, 单, 950 mV, 35 ns, 50 A
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ES2BA-13-F
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Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SMA |
ES2BA-13-F 编带
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