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型号： VNN1NV04TR-E

描述： OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

品牌： ST Microelectronics (意法半导体)

封装： TO-261-4

货期：

包装方式： Tape & Reel (TR)

标准包装数： 1

20+:

￥ 0.0986

50+:

￥ 0.0913

100+:

￥ 0.0876

300+:

￥ 0.0847

500+:

￥ 0.0825

1000+:

￥ 0.0810

5000+:

￥ 0.0796

10000+:

￥ 0.0781

价格	￥ 0.0986	￥ 0.0913	￥ 0.0876	￥ 0.0847	￥ 0.0825
起批量	20+	50+	100+	300+	500+

运费：有货运费价格：¥13.00

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技术参数/电源电压(DC): 45.0V (max)

技术参数/输出接口数: 1

技术参数/输出电流: 2.60 A

技术参数/漏源极电阻: 250 mΩ

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 7.00 W

技术参数/漏源击穿电压: 40.0 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 1.70 A

技术参数/输出电流(Max): 1.7 A

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 4

封装参数/封装: TO-261-4

外形尺寸/封装: TO-261-4

物理参数/工作温度: -40℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

海关信息/ECCN代码: EAR99

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