技术参数/漏源极电阻: 7.50 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.00 W
技术参数/漏源击穿电压: 60.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 230 mA
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92
外形尺寸/封装: TO-92
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
VN2222LL
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-92 |
小信号MOSFET 150毫安， 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts
|
||
VN2222LL
|
Major Brands | 功能相似 | TO-92 |
小信号MOSFET 150毫安， 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts
|
||
|
|
Zetex | 功能相似 |
小信号MOSFET 150毫安， 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts
|
|||
|
|
Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
小信号MOSFET 150毫安， 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts
|
|||
VN2222LL
|
Supertex (超科) | 功能相似 | TO-92 |
小信号MOSFET 150毫安， 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts
|
||
|
VN2222LL
|
Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 |
小信号MOSFET 150毫安， 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts
|
|||
VN2222LL-G
|
Supertex (超科) | 功能相似 | TO-92-3 |
Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管 Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式（常闭）DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗，低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。 ### MOSFET 晶体管，Microchip
|
||
VN2222LLG
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-92-3 |
ON SEMICONDUCTOR VN2222LLG 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价