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型号: PD57002S-E
描述: RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
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封 装: PowerSO-10RF
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包装方式: Tube
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技术参数/频率: 960 MHz

技术参数/耗散功率: 4750 mW

技术参数/输出功率: 2 W

技术参数/增益: 15 dB

技术参数/测试电流: 10 mA

技术参数/输入电容(Ciss): 7.1pF @28V(Vds)

技术参数/工作温度(Max): 165 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 4750 mW

技术参数/额定电压: 65 V

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: PowerSO-10RF

外形尺寸/高度: 3.5 mm

外形尺寸/封装: PowerSO-10RF

物理参数/工作温度: -65℃ ~ 165℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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