技术参数/额定电压(DC): 10.0 V
技术参数/额定功率: 400 W
技术参数/钳位电压: 21.7 V
技术参数/测试电流: 1 mA
技术参数/脉冲峰值功率: 400 W
技术参数/最小反向击穿电压: 11.4 V
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/工作结温: 175 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-15
外形尺寸/长度: 6.75 mm
外形尺寸/直径: 3.53 mm
外形尺寸/封装: DO-15
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 通用
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-41 |
DO-15 10.2V 400W
|
||
BZW04-10
|
DB Lectro | 功能相似 |
DO-15 10.2V 400W
|
|||
BZW04-10
|
Luguang Electronic | 功能相似 |
DO-15 10.2V 400W
|
|||
BZW04-10
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | DO-15 |
DO-15 10.2V 400W
|
||
|
|
Comchip Technology (上华科技) | 功能相似 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
|
|||
|
|
Good-Ark Electronics (固锝) | 功能相似 | R-6 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
|
||
|
|
Chenyi | 功能相似 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
|
|||
P4KE12A
|
JXND (嘉兴南电) | 功能相似 | DO-41 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
|
||
P4KE12A
|
Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 | DO-41 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
|
||
P4KE12A
|
Littelfuse (力特) | 功能相似 | DO-204AL |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
|
||
|
|
Panjit (强茂) | 功能相似 | DO-41 |
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价