技术参数/针脚数: 6
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 200 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @5mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 300 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 100
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SOT-363-6
外形尺寸/长度: 2.2 mm
外形尺寸/宽度: 1.35 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-363-6
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Computers & Computer Peripherals, Automation & Process Control, Power Management, Automotive, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Nexperia (安世) | 完全替代 |
NXP PUMH9 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363
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PUMH9
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Philips (飞利浦) | 完全替代 | SOT-363 |
NXP PUMH9 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363
|
||
PUMH9
|
NXP (恩智浦) | 完全替代 | SOT-363 |
NXP PUMH9 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363
|
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PUMH9,115
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-363-6 |
NXP PUMH9,115 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363
|
||
PUMH9,115
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-363-6 |
NXP PUMH9,115 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363
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PUMH9,135
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-363-6 |
TSSOP NPN 50V 100mA
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PUMH9,165
|
Nexperia (安世) | 类似代替 | SOT-363-6 |
TSSOP NPN 50V 100mA
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