技术参数/频率: 10 MHz
技术参数/额定电压(DC): 200 V
技术参数/额定电流: 7.00 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 60 W
技术参数/增益频宽积: 6 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 200 V
技术参数/集电极最大允许电流: 7A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 10
技术参数/额定功率(Max): 60 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 60000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.28 mm
外形尺寸/宽度: 4.82 mm
外形尺寸/高度: 9.28 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tube
其他/最小包装: 50
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | SOP |
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
|
||
|
|
Inchange Semiconductor | 功能相似 |
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
|
|||
BU406
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-220-3 |
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
|
||
BU406
|
Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 功能相似 | TO-220 |
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
|
||
BU406
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
|
||
|
|
Sensitron Semiconductor | 类似代替 | 4 |
ON SEMICONDUCTOR BU406G 单晶体管 双极, NPN, 200 V, 10 MHz, 60 W, 7 A, 10 hFE 新
|
||
BU406TU
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
功率 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
||
|
|
Mospec | 类似代替 |
NPN功率晶体管 NPN Power Transistors
|
|||
|
BU407
|
Continental Device | 类似代替 | SFM |
NPN功率晶体管 NPN Power Transistors
|
||
|
BU407
|
Rectron Semiconductor | 类似代替 | TO-220 |
NPN功率晶体管 NPN Power Transistors
|
||
|
BU407
|
Power Innovations | 类似代替 |
NPN功率晶体管 NPN Power Transistors
|
|||
BU407
|
Multicomp | 类似代替 | TO-220 |
NPN功率晶体管 NPN Power Transistors
|
||
BU407
|
Wings | 类似代替 |
NPN功率晶体管 NPN Power Transistors
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价