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型号: BSS84
描述: P沟道增强型垂直DMOS晶体管 P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
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封 装: TO-236
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技术参数/极性: P-Channel

技术参数/耗散功率: 250 mW

技术参数/漏源极电压(Vds): 50 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 130 mA

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-236

外形尺寸/封装: TO-236

其他/产品生命周期: Unknown

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
BSS84 BSS84 CJ (长电科技) 类似代替 SOT-23-3
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
BSS84 BSS84 AnBon (台湾安邦) 类似代替 SOT-23-3
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
BSS84 BSS84 LiteOn (光宝) 类似代替 SOT-23
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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BSS84 BSS84 SHIKUES (时科) 类似代替 SOT-23-3
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
BSS84 BSS84 Micross 类似代替
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
BSS84 BSS84 FMS (美丽微) 类似代替 SOT-23-3
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
BSS84 BSS84 Diodes (美台) 类似代替 SOT-23
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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BSS84 BSS84 NXP (恩智浦) 类似代替 TO-236
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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BSS84 BSS84 National Semiconductor (美国国家半导体) 类似代替
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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BSS84 BSS84 Infineon (英飞凌) 类似代替 SOT-23
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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BSS84-7-F BSS84-7-F Diodes (美台) 功能相似 SOT-23-3
三极管
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