技术参数/频率: 1.81GHz ~ 1.88GHz
技术参数/输出功率: 120 W
技术参数/增益: 19.2 dB
技术参数/测试电流: 700 mA
技术参数/工作温度(Max): 225 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/额定电压: 65 V
技术参数/电源电压: 28 V
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SOT-1275-3
外形尺寸/高度: 4.01 mm
外形尺寸/封装: SOT-1275-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BLC9G20LS-120VY
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NXP (恩智浦) | 完全替代 |
RF Power Transistor, 1.805 to 1.995GHz, 120W, 19.2dB, 28V, SOT1275-3, LDMOS
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