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型号: BD810
描述: 功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTORS PNP SILICON
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封 装: TO-220-3
货 期:
包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC): -80.0 V

技术参数/额定电流: -10.0 A

技术参数/极性: PNP

技术参数/耗散功率: 90.0 W

技术参数/集电极击穿电压: 80.0 V

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V

技术参数/集电极最大允许电流: 10A

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 15 @4A, 2V

技术参数/额定功率(Max): 90 W

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-220-3

外形尺寸/封装: TO-220-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Tube

其他/最小包装: 50

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

符合标准/含铅标准: Contains Lead

海关信息/ECCN代码: EAR99

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
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1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 3 PIN
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TIP34C TIP34C Inchange Semiconductor 功能相似
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TIP34C TIP34C KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) 功能相似 TO-3
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General Purpose Transistor
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