技术参数/频率: 120 MHz
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/集电极最大允许电流: 3A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-251
外形尺寸/封装: TO-251
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
|---|
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