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型号: IDH05SG60C
描述: thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效,且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能,如更高的击穿电场强度和导热性,可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器,Infineon
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封 装: TO-220-2
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包装方式: Tube
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技术参数/额定功率: 56 W

技术参数/负载电流: 5 A

技术参数/反向恢复时间: 0 ns

技术参数/最大正向浪涌电流(Ifsm): 26 A

技术参数/正向电压(Max): 2.3 V

技术参数/正向电流(Max): 5 A

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 2

封装参数/封装: TO-220-2

外形尺寸/长度: 10.2 mm

外形尺寸/宽度: 4.5 mm

外形尺寸/高度: 15.95 mm

外形尺寸/封装: TO-220-2

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

海关信息/香港进出口证: NLR

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