技术参数/额定电压(DC): -20.0 V
技术参数/额定电流: -6.00 A
技术参数/漏源极电阻: 27.0 mΩ
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 20.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±12.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 6.00 A
技术参数/上升时间: 20.0 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 5 mm
外形尺寸/宽度: 4 mm
外形尺寸/高度: 1.5 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTMD6P02R2G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOIC-8 |
P 通道 MOSFET，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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SI4963BDY-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
TRANSISTOR 4900mA, 20V, 2Channel, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal
|
||
SI4963BDY-T1-E3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | SOIC-8 |
TRANSISTOR 4900mA, 20V, 2Channel, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal
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