技术参数/额定电压(DC): 6.80 V
技术参数/额定功率: 1.00 W
技术参数/针脚数: 2
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/稳压值: 6.8 V
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-41
外形尺寸/封装: DO-41
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Each
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5235B 单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
|
||
1N5235B
|
Central Semiconductor | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5235B 单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
|
||
|
1N5235B
|
Diodes (美台) | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5235B 单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
|
||
|
1N5235B
|
先科ST (先科) | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5235B 单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
|
||
1N5235B
|
Multicomp | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5235B 单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
|
||
|
1N5235B
|
New Jersey Semiconductor | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5235B 单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
|
|||
BZX85C6V8
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DO-41 |
1W，BZX85C 系列，Fairchild Semiconductor ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
|
||
|
BZX85C6V8
|
Electronics Industry | 完全替代 |
1W，BZX85C 系列，Fairchild Semiconductor ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价