技术参数/容差: ±5 %
技术参数/正向电压: 1.2V @200mA
技术参数/耗散功率: 1.3 W
技术参数/测试电流: 20 mA
技术参数/稳压值: 12 V
技术参数/额定功率(Max): 1 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-41
外形尺寸/封装: DO-41
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | DO-41 |
ON Semiconductor 1N4742ATR 单路 齐纳二极管, 12V 5% 1 W, 2引脚 DO-41封装
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TT Electronics | 类似代替 |
BZX85C 系列 12 V 200 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-41
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Sunmate | 类似代替 | DO-41 |
BZX85C 系列 12 V 200 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-41
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Electronics Industry | 类似代替 |
BZX85C 系列 12 V 200 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-41
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Surge Components | 类似代替 |
BZX85C 系列 12 V 200 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-41
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Good-Ark Electronics (固锝) | 类似代替 |
BZX85C 系列 12 V 200 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-41
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BZX85C12
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EIC | 类似代替 | DO-204AL |
BZX85C 系列 12 V 200 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-41
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BZX85C12
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 |
BZX85C 系列 12 V 200 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-41
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BZX85C12
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Diotech Electronics | 类似代替 |
BZX85C 系列 12 V 200 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-41
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BZX85C12
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 类似代替 | DO-41 |
BZX85C 系列 12 V 200 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-41
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