技术参数/额定功率: 50 W
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 0.0042 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 50 W
技术参数/阈值电压: 1 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 16A
技术参数/上升时间: 4 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2800pF @15V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 50 W
技术参数/下降时间: 3.6 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: PG-TSDSON-8
外形尺寸/长度: 3.3 mm
外形尺寸/宽度: 3.3 mm
外形尺寸/高度: 1.1 mm
外形尺寸/封装: PG-TSDSON-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 便携式器材, 电机驱动与控制, Mainboard, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals, 计算机和计算机周边, LED Lighting, Onboard charger, VRD/VRM, Power Management, 发光二极管照明, Portable Devices, 消费电子产品, 电源管理, Consumer Electronics
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | QFN |
N沟道MOSFET PowerTrench® 25 V ， 40 A ， 5.7英里© N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mΩ
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价