技术参数/额定功率: 48 W
技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 0.0022 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 48 W
技术参数/阈值电压: 1.2 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 24A
技术参数/上升时间: 5.2 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1700pF @15V(Vds)
技术参数/下降时间: 3.6 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2500 mW
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: TDSON-8
外形尺寸/长度: 5.9 mm
外形尺寸/宽度: 5.15 mm
外形尺寸/高度: 1.27 mm
外形尺寸/封装: TDSON-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: VRD/VRM, Onboard charger, 工业, Power Management, 电源管理, Mainboard, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSC050NE2LS
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | PG-TDSON-8 |
INFINEON BSC050NE2LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2 V
|
||
BSC077N12NS3G
|
Infineon (英飞凌) | 完全替代 | 120 |
120V,98A,N沟道功率MOSFET
|
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