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描述: Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSB056N10NN3GXUMA1, 83 A, Vds=100 V, 7引脚 WDSON封装
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封 装: MG-WDSON-2
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/额定功率: 78 W

技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 0.005 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 78 W

技术参数/阈值电压: 2.7 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 9A

技术参数/上升时间: 9 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 5500pF @50V(Vds)

技术参数/下降时间: 8 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -40 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 7

封装参数/封装: MG-WDSON-2

外形尺寸/长度: 6.35 mm

外形尺寸/宽度: 5.05 mm

外形尺寸/高度: 0.7 mm

外形尺寸/封装: MG-WDSON-2

物理参数/工作温度: -40℃ ~ 150℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

其他/制造应用: Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Uninterruptable power supplies (UPS), Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Isolated DC-DC converters (telecom and datacom systems

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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