技术参数/额定电流: 25 mA
技术参数/击穿电压: -25.0 V
技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 25 V
技术参数/漏源击穿电压: 25 V
技术参数/栅源击穿电压: 25 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/额定电压: 25 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BF861A
|
Philips (飞利浦) | 功能相似 |
N沟道FET的结 N-channel junction FETs
|
|||
BF861A,215
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23-3 |
N 通道 JFET，NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
|
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