技术参数/频率: 145 MHz
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 1.35 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/集电极最大允许电流: 1A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @150mA, 2V
技术参数/额定功率(Max): 1 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 100
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1350 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: TO-261-4
外形尺寸/高度: 1.7 mm
外形尺寸/封装: TO-261-4
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BCP53-16,115
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-261-4 |
NXP BCP53-16,115 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 100 hFE
|
||
BCP53-16T/R
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-223 |
Trans GP BJT PNP 80V 1A Automotive 4Pin(3+Tab) SC-73 T/R
|
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BCP53T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-223 |
ON SEMICONDUCTOR BCP53T1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -1.5 A, 250 hFE
|
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