技术参数/耗散功率: 200 mW
技术参数/增益频宽积: 100 MHz
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-323
外形尺寸/封装: SOT-323
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC857BF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 |
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistor
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BC857BT
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Central Semiconductor | 功能相似 | SOT-523 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
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Secos | 类似代替 |
BC857BW
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BC857BW
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | SOT-323-3-1 |
BC857BW
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BC857BW
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Philips (飞利浦) | 类似代替 | SC-70 |
BC857BW
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BC857BW
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Panjit (强茂) | 类似代替 | SOT-323 |
BC857BW
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BC857BW
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-323-3 |
BC857BW
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BC857BW
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Diotec Semiconductor | 类似代替 | SOT-323 |
BC857BW
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BC857BW,115
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-323-3 |
BC857BW 系列 PNP 45 V 100 mA 表面贴装 通用 晶体管 - SOT-323
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BC857BWT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-3 |
ON SEMICONDUCTOR BC857BWT1G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE
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