技术参数/频率: 150 MHz
技术参数/额定电压(DC): -45.0 V
技术参数/额定电流: -100 mA
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 310 mW
技术参数/增益频宽积: 150 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.1A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 200 @2mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 310 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 310 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 2.9 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.93 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC807-40LT3G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BC807-40LT3G Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 40 hFE 新
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BC857BMTF
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC857BMTF 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 150 MHz, 310 mW, -100 mA, 200 hFE
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BC860B
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23 |
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
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BC860B
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Zetex | 功能相似 | SOT-23 |
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
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BC860B
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23 |
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
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BC860B
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Kexin | 功能相似 |
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
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BC860BMTF
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BC860BMTF
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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