技术参数/频率: 210 MHz
技术参数/额定电压(DC): 45.0 V
技术参数/额定电流: 800 mA
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/增益频宽积: 210 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.8A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 630
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 5.2 mm
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
其他/制造应用: Industrial, Power Management
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2016/06/20
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC33725BU
|
Rochester (罗切斯特) | 类似代替 | TO-92 |
ON Semiconductor BC33725BU , NPN 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
|
||
BC337RL1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
ON SEMICONDUCTOR BC337RL1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFE
|
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