技术参数/频率: 300 MHz
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 0.35 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 30 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.1A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 450 @2mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 310 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23
外形尺寸/封装: SOT-23
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC848B
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | CASE 318-07 |
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC848B
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ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC848B
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AUK Semiconductor (韩国光电子) | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC848B
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Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-236 |
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC848B
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Siemens AG | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC848B
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VISHAY (威世) | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC848B
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CJ (长电科技) | 功能相似 | SOT-23-3 |
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC848B-7-F
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-23-3 |
DIODES INC. BC848B-7-F 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE
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