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型号： BSP299

描述： Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET

品牌： Infineon (英飞凌)

封装： SOT-223

货期：

包装方式： Cut Tape (CT)

标准包装数： 1

5+:

￥ 4.2228

25+:

￥ 3.9100

50+:

￥ 3.6910

100+:

￥ 3.5972

500+:

￥ 3.5346

2500+:

￥ 3.4564

5000+:

￥ 3.4252

10000+:

￥ 3.3782

价格	￥ 4.2228	￥ 3.9100	￥ 3.6910	￥ 3.5972	￥ 3.5346
起批量	5+	25+	50+	100+	500+

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

库存(9602) 起订量(5)

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规格参数
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技术参数/针脚数: 4

技术参数/漏源极电阻: 4 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 1.8 W

技术参数/阈值电压: 3 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 500 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 400 mA

技术参数/上升时间: 15 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 300pF @25V(Vds)

技术参数/下降时间: 15 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/工作结温(Max): 150 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 1.8 W

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 4

封装参数/封装: SOT-223

外形尺寸/长度: 6.5 mm

外形尺寸/宽度: 3.5 mm

外形尺寸/高度: 1.6 mm

外形尺寸/封装: SOT-223

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Cut Tape (CT)

其他/制造应用: Onboard charger, 车用, Power Management, 通信与网络, Automotive, 消费电子产品, 电源管理, Portable Devices, Consumer Electronics, 便携式器材, Communications & Networking

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
BSP299	Infineon	功能相似	SOT223	Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
BSP299	Siemens Semiconductor (西门子)	功能相似	SOT-223	Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET	PDF
BSP299	Infineon (英飞凌)	功能相似	SOT-223	Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET	PDF
BSP299H6327	Infineon (英飞凌)	功能相似		500V,4000mΩ,0.4A,N沟道小信号MOSFET	PDF
BSP299L6327	Infineon (英飞凌)	功能相似	SOT-223	MOSFET, N, LOGIC, REEL 1K	PDF
BSP324E6327	Infineon (英飞凌)	类似代替	SOT-223	N-channel Sipmos Small-signal Transistor	PDF