技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 3 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 140 V
技术参数/集电极最大允许电流: 3A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 25 @500mA, 4V
技术参数/额定功率(Max): 3 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-66
外形尺寸/封装: TO-66
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Semelab | 功能相似 | TO-3 |
NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE
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2N6059
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Multicomp | 功能相似 | TO-3 |
NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE
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2N6059
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-3 |
NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE
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2N6059
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Aeroflex (艾法斯) | 功能相似 |
NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE
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2N6059
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-204 |
NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE
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2N6338G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-204-2 |
高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors
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