技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 50 @500mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 500 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 500 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-206
外形尺寸/封装: TO-206
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N3057A
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-46-3 |
低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-39 |
NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
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2N5796
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Raytheon (雷神) | 功能相似 |
双PNP硅晶体管 PNP DUAL SILICON TRANSISTOR
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