技术参数/额定电压(DC): -100 V
技术参数/额定电流: -19.0 A
技术参数/漏源极电阻: 200 mΩ
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 150 W
技术参数/漏源极电压(Vds): -100 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -19.0 A
技术参数/上升时间: 73 ns
技术参数/下降时间: 57 ns
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.41 mm
外形尺寸/宽度: 4.7 mm
外形尺寸/高度: 15.49 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Samsung (三星) | 功能相似 | SFM |
19A ， 100V ， 0.200欧姆，P沟道功率MOSFET 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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IRF9540
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
19A ， 100V ， 0.200欧姆，P沟道功率MOSFET 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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IRF9540
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-220 |
19A ， 100V ， 0.200欧姆，P沟道功率MOSFET 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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