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型号: 2SB1122T-TD-E
描述: NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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封 装: SOT-89-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/频率: 150 MHz

技术参数/极性: PNP, P-Channel

技术参数/耗散功率: 0.5 W

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V

技术参数/集电极最大允许电流: 1A

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 2V

技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 400

技术参数/额定功率(Max): 500 mW

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 500 mW

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: SOT-89-3

外形尺寸/长度: 4.5 mm

外形尺寸/宽度: 2.5 mm

外形尺寸/高度: 1.5 mm

外形尺寸/封装: SOT-89-3

物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

其他/制造应用: Electrical equipment, Voltage regulators, Relay drivers, Lamp drivers

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

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2SB1122S-TD-E 2SB1122S-TD-E Sanyo Semiconductor (三洋) 功能相似
NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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