技术参数/额定电压(DC): 50.0 V
技术参数/额定电流: 100 mA
技术参数/无卤素状态: Halogen Free
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 0.338 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 35 @5mA, 10V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 35
技术参数/额定功率(Max): 230 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 338 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 2.9 mm
外形尺寸/宽度: 1.5 mm
外形尺寸/高度: 1.09 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MUN2211T1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MUN2211T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59
|
||
PDTC114ET@215
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-236 |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin TO-236AB T/R
|
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