技术参数/频率: 100 MHz
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 310 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.8A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 310 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 60
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 310 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC817-16LT1G
|
Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | SOT-23 |
ON SEMICONDUCTOR BC817-16LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
|
||
BC817-25LT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BC817-25LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
|
||
BCW66GLT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BCW66GLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE
|
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