技术参数/容差: ±5 %
技术参数/正向电压: 1.2V @1A
技术参数/稳压值: 12 V
技术参数/正向电压(Max): 1.2V @1A
技术参数/额定功率(Max): 5 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: T-18
外形尺寸/封装: T-18
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Boca Semiconductor (博卡半导体) | 完全替代 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
|||
|
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
|||
|
|
Transys Electronics | 完全替代 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
|||
|
|
Taitron | 完全替代 | Case 1.5KE |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
||
|
|
EIC | 完全替代 | DO-15 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
||
|
|
Diotech Electronics | 完全替代 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
|||
1N5349B
|
Central Semiconductor | 完全替代 | DO-35 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
||
1N5349B
|
NTE Electronics | 完全替代 | 017AA |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
||
1N5349B
|
Panjit (强茂) | 完全替代 | DO-201AE |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
||
|
1N5349B
|
New Jersey Semiconductor | 完全替代 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
|||
|
1N5349B
|
Sunmate | 完全替代 | DO-201AD |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
||
1N5349B
|
Multicomp | 完全替代 | DO-201AE |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
|
||
|
|
Microchip (微芯) | 类似代替 | T-18-2 |
DIODE ZENER 5W 12V 5% T-18
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价