封装参数/封装: SOT-23
外形尺寸/封装: SOT-23
其他/集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO): 20V
其他/集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO): 12V
其他/集电极连续输出电流ICCollector Current(IC): 100mA/0.1A
其他/截止频率fTTranstion Frequency(fT): 7GHz
其他/直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE): 80~160
其他/管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage: 10V
其他/耗散功率PcPower Dissipation: 200mW/0.2W
其他/规格书PDF: __
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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2SC3356
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UTC (友顺) | 功能相似 | SOT-23 |
2SC3356 NPN三极管 20V 100mA/0.1A 7GHz 80~160 10V SOT-23/SC-59 marking/标记 R24 微波低噪声放大器
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YONGYUTAI（永裕泰) | 功能相似 | SOT-23 |
2SC3356 NPN三极管 20V 100mA/0.1A 7GHz 80~160 10V SOT-23/SC-59 marking/标记 R24 微波低噪声放大器
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2SC3356
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 |
2SC3356 NPN三极管 20V 100mA/0.1A 7GHz 80~160 10V SOT-23/SC-59 marking/标记 R24 微波低噪声放大器
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2SC3356
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NEC (日本电气) | 功能相似 | SOT-23 |
2SC3356 NPN三极管 20V 100mA/0.1A 7GHz 80~160 10V SOT-23/SC-59 marking/标记 R24 微波低噪声放大器
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2SC3356-T1B-A
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 | Mini-Mold |
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
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RENESAS | 功能相似 | SOT-23 |
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
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BFR193T
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SC-75 |
硅NPN平面RF晶体管 Silicon NPN Planar RF Transistor
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