技术参数/频率: 15 MHz
技术参数/额定电压(DC): 300 V
技术参数/额定电流: 2.00 A
技术参数/针脚数: 2
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 35 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 300 V
技术参数/集电极最大允许电流: 2A
技术参数/直流电流增益(hFE): 40
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 35000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: TO-66
外形尺寸/封装: TO-66
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃
其他/产品生命周期: Active
其他/制造应用: Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/HTS代码: 85412900951
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N3583
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-66 |
NTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压
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2N3583
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NTE Electronics | 完全替代 | TO-66 |
NTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压
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2N3583
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Mospec | 完全替代 | TO-66 |
NTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压
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Boca Semiconductor (博卡半导体) | 完全替代 |
NTE ELECTRONICS 2N3585 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 35 W, 2 A, 40 hFE
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2N3585
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NTE Electronics | 完全替代 | TO-66 |
NTE ELECTRONICS 2N3585 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 35 W, 2 A, 40 hFE
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2N3585
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Mospec | 完全替代 | TO-66 |
NTE ELECTRONICS 2N3585 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 35 W, 2 A, 40 hFE
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2N3585
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Central Semiconductor | 完全替代 | TO-66-2 |
NTE ELECTRONICS 2N3585 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 35 W, 2 A, 40 hFE
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MJH16006
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 500 VOLTS 150W
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