技术参数/额定电压(DC): 50.0 V
技术参数/额定电流: 150 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 200 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.15A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 120 @1mA, 6V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 700
技术参数/额定功率(Max): 200 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-323-3
外形尺寸/长度: 2 mm
外形尺寸/宽度: 1.25 mm
外形尺寸/高度: 0.9 mm
外形尺寸/封装: SOT-323-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2SC4081T106Q
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ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | SC-70-3 |
ROHM 2SC4081T106Q 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 150 mA, 120 hFE
|
||
2SC4081T106S
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ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | SOT-323-3 |
通用晶体管（ 50V ， 0.15A ） General purpose transistor (50V, 0.15A)
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FJX945GTF
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOT-323-3 |
NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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