技术参数/额定电压(DC): -60.0 V
技术参数/额定电流: -80.0 A
技术参数/通道数: 1
技术参数/极性: P-CH
技术参数/耗散功率: 340W (Tc)
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 5.03 nF
技术参数/栅电荷: 173 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 80.0 A
技术参数/输入电容(Ciss): 5033pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 340 W
技术参数/耗散功率(Max): 340W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/宽度: 9.25 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SPB80P06P G
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
INFINEON SPB80P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
|
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SPB80P06PG
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263 |
60V,-80A,P沟道功率MOSFET
|
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SUP65P06-20
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220 |
P-Channel 60V (D-S), 175C MOSFET
|
||
SUP65P06-20
|
Visay | 功能相似 |
P-Channel 60V (D-S), 175C MOSFET
|
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