技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 90 V
技术参数/集电极最大允许电流: 30A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20 @15A, 2V
技术参数/额定功率(Max): 6 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 6000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-204
外形尺寸/封装: TO-204
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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2N5671
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Harris | 完全替代 |
NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
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2N5671
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Inchange Semiconductor | 完全替代 |
NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
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2N5671
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TT Electronics/BI | 完全替代 | TO-3 |
NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
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