技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 50 @10mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 2.12 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-78-6
外形尺寸/封装: TO-78-6
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-78-6 |
规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR
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Microchip (微芯) | 完全替代 |
规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-78-6 |
规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR
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