技术参数/耗散功率: 0.36 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 15 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 360 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 360 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-18
外形尺寸/封装: TO-18
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
JANS2N2369A
|
Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-18 |
TO-18 NPN 15V
|
||
JANTX2N2369A
|
Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-18 |
Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3Pin TO-18
|
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